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三星电子宣布新一代3纳米制造工艺进入“世界第

[电线电缆网]根据韩国媒体《ZDNet Korea》的报道,3纳米栅极全环工艺是用一个圆柱形通道围绕栅极,电流通过该通道流动。与鳍式场效应晶体管的结构相比,这种工艺可以更好地控制电流。

将3纳米工艺与最新批量生产的7纳米鳍片场效应晶体管相比,核心面积可减少45%,功耗可减少50%,功能可提高35%。

当天,三星电子向半导体设计公司发送了3纳米工程设计套件,并分享了第四次产权革命的焦点,如人工智能、5G移动通信、无人驾驶和物联网。工程设计工具包支持OEM公司制造过程中的优化设计数据文件。半导体设计公司可以通过这份文件更自由地设计产品,从而缩短上市时间,提高竞争力。

与此同时,三星电子计划以其独有的3纳米工艺多桥沟道场效应晶体管(MBCFETTM)技术来争夺半导体设计公司的青睐。多桥沟道场效应晶体管技术是一种进一步发展的“高钢丝型”栅极全环机制,它由薄而高的纳米片构成。该技术可以改善功能,降低功耗,并与鳍式场效应管技术有很强的兼容性。它的优点是直接利用现有的设备和技术。

另一方面,三星电子设计将于下月5日在上海举办铸造论坛,并将于7月3日、9月4日和10月10日在韩国首尔、日本东京和德国慕尼黑举办铸造论坛。

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